直接式平板探測器主要由集電矩陣、硒層、電介層、頂層電極和保護層等構(gòu)成。集電矩陣由按陣元方式排列的薄膜晶體管(TFT)組成。非晶硒半導體材料在薄膜晶體管陣列上方通過真空蒸鍍生成約、38mm×45mm見方的薄膜，它對X線很敏感，并有很高的圖像解析能力。頂層電極接高壓電源，當有X線入射時，由于高壓電源在非晶硒表面形成的電場，它們只能沿電場方向垂直穿過絕緣層、X射線半導體、電子封閉層，到達非晶硒，不會出現(xiàn)橫向偏離從而出現(xiàn)光的散射。平板探測器在安檢領(lǐng)域的應(yīng)用包括公共場所安檢、車輛集裝箱檢查、可疑包裹排查等。山西實時成像平板探測器

將閃爍體產(chǎn)生的可見光轉(zhuǎn)換成電信號的方式也會對DQE產(chǎn)生影響。在碘化銫(或者硫氧化釓)薄膜晶體管這種結(jié)構(gòu)的平板探測器中，因為TFT的陣列可以做成與閃爍體涂層的面積一樣大，所以可見光不需要經(jīng)過透鏡折射就可以投射到TFT上，沒有光子損失，所以DQE也比較高。在非晶硒平板探測器中，X線轉(zhuǎn)換成電信號完全依賴于非晶硒層產(chǎn)生的電子空穴對，DQE的高低取決于非晶硒層產(chǎn)生電荷能力?？偟恼f來，CsI TFT這種結(jié)構(gòu)的間接轉(zhuǎn)換平板探測器的極限D(zhuǎn)QE高于a-Se直接轉(zhuǎn)換平板探測器的極限D(zhuǎn)QE。四川乳腺平板探測器通過測量暗場的大小，可以獲得X射線穿過物質(zhì)時的信息。

CT是影像設(shè)備家族的一員，英文全稱是Computed Tomography，中文名是計算機斷層掃描。所謂“斷層”，通俗來說是橫截面。X射線就像是CT的這把隱形刀，射線穿過人體之后，由于人體不同結(jié)構(gòu)的密度不同，對射線的衰減程度不同，使得穿過人體射線的強度出現(xiàn)了差異，借助探測器進行探測X射線信號，通過圖像重建得到橫斷面的影像。從上述的描述中可以看出，在硬件組成方面，CT的主要部件也是X線球管和探測器，X線球管和探測器位于環(huán)形機架上。與DR不同的是，CT使用的不是平板探測器，而是弧形的線探測器（寬度較窄），之所以要用這種探測器，主要因為CT使用的射線束是扇形束（DR使用的是錐形束）。對于探測器的材質(zhì)，主要分為固體探測器和氣體探測器。

X射線管包含有陽極和陰極兩個電極，分別用于接受電子轟擊的靶材和發(fā)射電子的燈絲。兩極均被密封在高真空的玻璃或陶瓷外殼內(nèi)。X射線管供電部分至少包含有一個使燈絲加熱的低壓電源和一個給兩極施加高電壓的高壓發(fā)生器。當鎢絲通過足夠的電流使其產(chǎn)生電子云，且有足夠的電壓（千伏等級）加在陽極和陰極間，使得電子云被拉往陽極。此時電子以高能高速的狀態(tài)撞擊鎢靶，高速電子到達靶面，運動突然受到阻止，其動能的一小部分便轉(zhuǎn)化為輻射能，以X射線的形式放出，以這種形式產(chǎn)生的輻射稱為軔致輻射。分辨率高、獲取更多影像細節(jié)是數(shù)字化X線影像(DR)優(yōu)于普通放射影像的主要優(yōu)點。

X-RAY檢測應(yīng)用很，可用于鋰電池檢測等電池行業(yè)、電路板行業(yè)、半導體封裝、汽車行業(yè)、電路板組裝行業(yè)等，可用于IGBT半導體檢測、BGA芯片檢測、LED燈條檢測、PCB裸板檢測、鋰電池檢測、鋁鑄件無損探傷檢測。觀察和測量包裝后內(nèi)部物體的位置和形狀，并觀察內(nèi)部狀況，確認產(chǎn)品是否合格，真正的做到無損檢測。X射線工業(yè)檢測的優(yōu)點：1、X射線成像非常直觀。2、X射線檢測作為薄壁鑄件的無損檢測具有很高的靈敏度。3、X射線測試對鑄件的表面光潔度沒有嚴格的要求。4、X射線測試結(jié)果在各種材料之間幾乎沒有差異。常用NDT方法有：超聲，射線，渦流、磁粉、滲透等。四川乳腺平板探測器

壞點是指對X射線強度不響應(yīng)或響應(yīng)不良的探測器單元。山西實時成像平板探測器

非晶硅平板探測器是間接數(shù)字化X線成像，其表面是一層閃爍體材料(碘化銫或硫氧化釓)，再下一層是以非晶體硅為材料的光電二極管電路，底層為電荷讀出電路。位于探測器表面的閃爍體將透過人體后衰減的X線轉(zhuǎn)換為可見光，非晶硅光電二極管陣列又將可見光轉(zhuǎn)換為電信號，在光電二極管自身的電容上形成存儲電荷，每個像素的存儲電荷量與入射X線強度成正比，在控制電路的作用下，掃描讀出各個像素的存儲電荷，經(jīng)A/D轉(zhuǎn)換后輸出數(shù)字信號，傳送給計算機進行圖像處理從而形成X線數(shù)字影像。山西實時成像平板探測器

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